一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法
基本信息
| 申请号 | CN202110516735.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113399341A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113399341A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | B08B3/02（2006.01）I;B08B3/08（2006.01）I;B08B3/10（2006.01）I;B08B3/12（2006.01）I;F26B21/14（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 清洁; |
| 发明人 | 汤高;贺贤汉;徐庆斌;张正伟;蒋立峰 | 申请（专利权）人 | 上海富乐德智能科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 上海申浩律师事务所 | 代理人 | 赵建敏 |
| 地址 | 200444上海市宝山区山连路181号10幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种SiC外延晶圆片的洗净再生方法，包括如下步骤：步骤一，热水浸泡，浸润SiC外延晶圆片表面，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；步骤二，有机溶剂浸泡，去除或者疏松附着在表面的金属化有机物；纯水冲洗去除残留药液；步骤三，碱溶液刻蚀，刻蚀表面的沉积膜；纯水冲洗去除残留药液；步骤四，硝氟酸溶液中和，去除表面残留碱，并且能刻蚀表面的沉积膜；纯水冲洗去除残留药液；步骤五，超声波清洗，超纯水冲洗并高纯氮气吹干；步骤六，无尘烘箱烘干。通过该方法，能去除SiC外延晶圆片表面的AlN和GaN等金属污染物，获得高洁净度的SiC表面，满足SiC外延晶圆片高洁净度洗净再生要求。 |
