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一种半导体制造用气体分散部件表面痕量元素污染的测试方法

基本信息

申请号 CN202110901283.7 申请日 -
公开（公告）号 CN113484403A 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN113484403A 申请公布日 2021-10-08
分类号 G01N27/626（2021.01）I;G01N1/40（2006.01）I;G01N1/02（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 金奇梅;贺贤汉;李文阁;管方方;张正伟;蒋立峰 申请（专利权）人 上海富乐德智能科技发展有限公司
代理机构 上海申浩律师事务所 代理人 陆叶
地址 200444上海市宝山区山连路181号10幢
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体技术领域。一种半导体制造用气体分散部件表面痕量元素污染的测试方法，包括以下步骤：步骤一，采样区内放置一块干净的疏水性光滑平面，在其表面滴加适量的稀硝酸溶液，一定时间后回收溶液，并放置于一个洁净的空瓶内，用ICP‑MS测试溶液中元素含量；步骤二，采样区内放置一块干净的疏水性光滑平面，在其表面滴加适量的稀硝酸溶液，由于表面张力的作用会使得溶液聚成球形，接着取出待测的带通孔零部件样品轻轻放置于球形溶液上方，一定时间后将样品轻轻拿出，并回收溶液将其置于一个洁净的空瓶内，用ICP‑MS测试溶液中元素含量；步骤三，取两次测试结果的差值，通过公式计算最终得到待测工件的痕量元素污染含量。