一种提高晶闸管抗干扰能力的方法
基本信息
申请号 | CN201510065280.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN104637998A | 公开(公告)日 | 2015-05-20 |
申请公布号 | CN104637998A | 申请公布日 | 2015-05-20 |
分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 周伟松;温景超;张斌 | 申请(专利权)人 | 北京卅普科技有限公司 |
代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张文宝 |
地址 | 100084 北京市海淀区北京100084-82信箱 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了属于功率半导体器件可靠性技术的一种提高晶闸管抗干扰能力的方法。首先对现有结构的晶闸管进行解析,通过解析来得到提高晶闸管门极触发参数的途径;本发明采用引信电路中一种常用的TO-252封装外形;以及采用在晶闸管门极串联或反串联稳压二极管的方式,并将晶闸管芯片与稳压二极管芯片集成在同一封装管壳内部;由此既提高了晶闸管的门极触发电压,又保证了二极管与门极之间的引线足够短,保证了晶闸管的可靠触发,解决了引信由于爆轰干扰而产生的误动作问题,从而有效提高晶闸管的抗干扰能力;大大提高了武器装备的精准度和可靠性,对我国武器装备的发展具有重要意义。 |
