具有扩散缓冲层的高压快速软恢复二极管的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201210285197.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102820225A | 公开（公告）日 | 2012-12-12 |
| 申请公布号 | CN102820225A | 申请公布日 | 2012-12-12 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周伟松;刘道广;张斌;王培清 | 申请（专利权）人 | 北京卅普科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 史双元 |
| 地址 | 100084 北京市海淀区北京市100084-82信箱 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了属于半导体器件范围的一种具有扩散型缓冲层的高压快速软恢复二极管的制造方法。扩散缓冲层快恢复二极管采用两次扩散方法制作缓冲层，在PN结和电极制备之前，首先采用一次磷扩散，在硅片两面生成低浓度和深结深的磷扩散区，其后在二次磷扩散和硼铝扩散过程中，一次磷扩散的结深继续推进，最终一次磷扩散比二次磷扩散的结深深出20μm左右，一次磷扩散前沿浓度小于1×1015/cm－3区域的深度不少于15μm；采用无缺陷区熔硅单晶和扩散型缓冲层，可以大幅提高快速软恢复二极管的电压和电流水平。 |
