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一种沉积掺杂晶硅薄膜后真空腔体的清洁方法

基本信息

申请号	CN202110282291.8	申请日	-
公开（公告）号	CN113053718A	公开（公告）日	2021-06-29
申请公布号	CN113053718A	申请公布日	2021-06-29
分类号	H01J37/32	分类	基本电气元件;
发明人	刘奇尧;上官泉元	申请（专利权）人	江苏杰太光电技术有限公司
代理机构	北京集智东方知识产权代理有限公司	代理人	吴倩
地址	225500 江苏省泰州市姜堰区姜堰经济开发区陈庄路600号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种沉积掺杂晶硅薄膜后真空腔体的清洁方法，包括如下步骤：S1.切断镀膜工艺后，将清洁用氧气通入到真空腔体中，压强为0.10‑100pa；S2.向腔体内供电；S3.停止供电、供氧；S4.将腔体回填氮气，腔体内压强为1×104pa，并抽出腔体内气体至压强至5pa以下；S5.重复执行步骤S4；S6.将真空腔体回填至大气状态。本发明利用氧等离子体清洁真空腔体在沉积掺杂晶硅薄膜后所产生的含磷或含硼的副产物以及部分未完全分解的磷烷、硼烷，整个清洁流程仅需30min，显著缩短了开腔等待时间；氮气消耗量较常规手段降低了90％；相关残留物浓度可降至100PPB，较常规物理去除法残留物浓度降低了80％。