一种沉积掺杂非晶硅薄膜无绕镀的方法和装置
基本信息
| 申请号 | CN202011139286.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112359348A | 公开（公告）日 | 2021-02-12 |
| 申请公布号 | CN112359348A | 申请公布日 | 2021-02-12 |
| 分类号 | C23C16/54(2006.01)I; | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 上官泉元 | 申请（专利权）人 | 江苏杰太光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京集智东方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴倩 |
| 地址 | 225500江苏省泰州市姜堰区姜堰经济开发区陈庄路600号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种沉积掺杂非晶硅薄膜无绕镀的方法和装置，包括如下步骤：S1.将硅片平躺放置在采用中空设计且仅与硅片四周边缘位置接触的载板上并输送至工艺腔内；S2.对工艺腔进行抽真空；S3.从底部向工艺腔内通入工艺气体，通过位于硅片上侧面的加热装置对硅片进行加热，并通过位于硅片下侧的电极放电激发工艺气体以在电极和硅片之间形成含有等离子体的反应区域，从下往上在硅片表面沉积薄膜。本发明通过将硅片平躺放置在采用中空设计并对硅片四周边缘位置起到支撑作用及包裹遮盖的载板上，在工艺腔内采用从下到上沉积薄膜的方式，由此解决沉积镀膜过程中硅片侧面甚至是非沉积面的绕镀问题。 |
