一种用于制备掺杂非晶硅薄膜的气源
基本信息
| 申请号 | CN202011137583.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112359320A | 公开（公告）日 | 2021-02-12 |
| 申请公布号 | CN112359320A | 申请公布日 | 2021-02-12 |
| 分类号 | C23C14/16(2006.01)I; | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 上官泉元 | 申请（专利权）人 | 江苏杰太光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京集智东方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴倩 |
| 地址 | 225500江苏省泰州市姜堰区姜堰经济开发区陈庄路600号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于制备掺杂非晶硅薄膜的气源，所述气源是灌装储存在防爆容器里的掺杂气体与惰性气体的混合气体，在使用PVD方法掺杂非晶硅镀膜过程中，防爆容器中的混合气体流经减压阀、气体流量计，以固定流量导入镀膜腔体中进行镀膜使用；其中，掺杂气体的体积浓度为1‑15％，而磷烷或硼烷经稀释后其浓度大大降低，可有效解决纯磷烷、纯硼烷等剧毒、易燃的掺杂剂在运输、装卸、储存和使用上的安全风险问题，且掺杂过程中无其它杂质气体进入非晶硅薄膜，且工厂无需专门配备用于纯硅烷或硼烷存储及使用的特种设备，工厂相应的安全设施投入降低。 |
