一种PECVD沉积太阳能电池掺杂层的气源和系统
基本信息
| 申请号 | CN202011246917.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112481606A | 公开（公告）日 | 2021-03-12 |
| 申请公布号 | CN112481606A | 申请公布日 | 2021-03-12 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;C23C16/54(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 闫路;上官泉元 | 申请（专利权）人 | 江苏杰太光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京集智东方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴倩 |
| 地址 | 225500江苏省泰州市姜堰区姜堰经济开发区陈庄路600号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种PECVD沉积太阳能电池掺杂层的制备方法，包括如下步骤：S1.将放置在载具上的硅片输送到工艺腔内；S2.将工艺腔抽真空；S3.向工艺腔内通入卤代硅烷和掺杂气体的混合气体，并开启电源激发等离子体放电，同时将工艺腔升温至反应温度，卤代硅烷和掺杂气体的混合气体在低压真空环境中反应并在硅片表面生成掺杂的硅薄膜。本发明采用不含H的卤代硅烷代替易燃易爆且高危的硅烷作为PECVD沉积掺杂层的反应气体，使用安全性更高，且由于卤代硅烷本身不含有H并且能提供沉积薄膜层所需的Si元素，而磷烷或硼烷中的H含量比较少本身不会导致起泡现象，由此解决了硅烷引发的沉积掺杂层起泡问题，极大提高了太阳能电池片的良率。 |
