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一种SiO2及掺杂多晶硅叠层钝化薄膜的制备方法

基本信息

申请号 CN201911066621.9 申请日 -
公开（公告）号 CN111009592B 公开（公告）日 2021-09-07
申请公布号 CN111009592B 申请公布日 2021-09-07
分类号 H01L31/18;C23C16/24;C23C16/40 分类 基本电气元件;
发明人 上官泉元;闫路;刘宁杰 申请（专利权）人 江苏杰太光电技术有限公司
代理机构 北京集智东方知识产权代理有限公司 代理人 吴倩
地址 225500 江苏省泰州市姜堰区姜堰经济开发区陈庄路600号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种SiO2及掺杂多晶硅叠层钝化薄膜的制备方法，包括如下步骤：链式连续传输体系，硅片在自动装料台装载到载板上，带硅片的载板经过装载腔抽真空并加热；通过输送机构输送至PECVD工艺腔内用SiH4和含氧气体(O2/N2O)生成Si02薄膜；然后经过过渡腔送到PVD工艺腔内用离子溅射方法镀掺杂的非晶硅薄膜；再经过卸载腔进入大气后在卸载台卸载；空载板在大气中回传到装载台继续下一个循环。该发明利用链式传输，结合了PECVD生长SiO2和PVD生长掺杂多晶硅的二合一镀膜方案，连续运行生产具有产能高、生产工序少、工艺间无交叉污染和环境污染、设备投入成本低及生产能耗低的优点。