首页/ 江苏杰太光电技术有限公司/ 专利详情

一种基于PVD技术制备局部多晶硅薄膜钝化接触的方法

基本信息

申请号 CN201911087099.2 申请日 -
公开（公告）号 CN111009593B 公开（公告）日 2021-09-07
申请公布号 CN111009593B 申请公布日 2021-09-07
分类号 H01L31/18;C23C14/04;C23C14/18 分类 基本电气元件;
发明人 林建伟;陈嘉;乔振聪;马丽敏;刘志锋;何大娟 申请（专利权）人 江苏杰太光电技术有限公司
代理机构 北京集智东方知识产权代理有限公司 代理人 吴倩
地址 225500 江苏省泰州市姜堰区姜堰经济开发区陈庄路600号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种基于PVD技术制备局部多晶硅薄膜钝化接触的方法。该方法通过在掺杂的晶体硅表面制备一定厚度的氧化层，在氧化层上面采用PVD的方法，利用掩膜在金属接触区域选择性制备一定厚度的多晶硅薄膜，金属化后，金属浆料仅接触局部钝化接触区域，该结构大大减少了金属接触区域的金属复合，可有效提高电池的开路电压；同时，局部钝化接触结构以外区域由于不含掺杂多晶硅层，相对于整面多晶硅薄膜结构电池，不会由多晶硅自身吸收而带来光学损失，避免了短路电流的损失，从而提高电池转换效率。