一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置
基本信息
| 申请号 | CN201810569454.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108531880B | 公开（公告）日 | 2019-12-03 |
| 申请公布号 | CN108531880B | 申请公布日 | 2019-12-03 |
| 分类号 | C23C14/50 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 汪玉洁 | 申请（专利权）人 | 百力达太阳能股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京华识知识产权代理有限公司 | 代理人 | 浙江华力管业有限公司;百力达太阳能股份有限公司 |
| 地址 | 314500 浙江省嘉兴市桐乡市河山镇长华路88号1幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置，包括机体、安装架和支撑杆，所述机体的顶部固定有气缸，且气缸的一端连接有推杆，所述推杆上安装有固定箱，且固定箱位于机体内，所述固定箱内设置有电机，所述安装架安装于沉积板内，所述夹块的内侧安装有弹簧，且弹簧的一端连接有卡块，所述支撑杆固定于沉积板的一侧，且支撑杆上安装有滑块，所述机体的内侧开设有凹槽，且凹槽内连接有滑块，所述机体内固定有靶材，且靶材位于沉积板的一侧。该多晶硅薄膜低温物理气相沉积用固定装置，通过设置的气缸和电机，使得多晶硅薄膜的沉积更均匀，可以进行双面沉积，同时可以同时处理多个多晶硅薄膜，提高了沉积效率。 |
