一种多层堆叠阳极键合结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011530587.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112652597A | 公开（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申请公布号 | CN112652597A | 申请公布日 | 2021-04-13 |
| 分类号 | H01L23/488;H01L21/60 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 苏州原位芯片科技有限责任公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区若水路388号G0202室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种多层堆叠阳极键合结构，包括阳极键合结构和导电薄膜，所述导电薄膜设于所述阳极键合结构的边缘，且依次连通所述阳极键合结构的各层晶圆的上表面或下表面，该结构通过导电薄膜将晶圆上表面或下表面与边缘连接，实现晶圆上表面或下表面与键合设备的有效连接，最终实现多层堆叠阳极键合结构的有效键合，克服了现有阳极键合设备进行多层堆叠阳极键合存在的问题，同时，对表面未加工结构或已加工结构的晶圆堆叠阳极键合都适合。 |
