多磁隙多线圈内磁式换能器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200980102868.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101971645B | 公开（公告）日 | 2015-01-28 |
| 申请公布号 | CN101971645B | 申请公布日 | 2015-01-28 |
| 分类号 | H04R9/02(2006.01)I | 分类 | 电通信技术; |
| 发明人 | 张凡 | 申请（专利权）人 | 深圳市新兴电气科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518048 广东省深圳市福田保税区红棉道8号英达利科技数码园B栋708-712号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 多磁隙多线圈内磁式换能器及其制备方法。该多磁隙多线圈内磁式换能器包括非导磁材料框架和非导磁材料托架。该多磁隙多线圈内磁式换能器包括两个或两个以上的同轴等径的环形磁隙、两组对称磁路、对称线圈。在该换能器中，线圈的绕向、连接方式以及参数是有规定的以保证电感量及其在往返运动过程中得到的反电动势被相互抵消。该多磁隙多线圈内磁式换能器被具有电阻负荷特性或近似于具有电阻负荷特性，同时具有高灵敏度、高解析力和高保真度。 |
