一种高性能钕铁硼烧结磁体制备方法及微观结构

基本信息

申请号 CN202010642162.0 申请日 -
公开(公告)号 CN113096947A 公开(公告)日 2021-07-09
申请公布号 CN113096947A 申请公布日 2021-07-09
分类号 H01F41/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈秀雷;彭众杰;董占吉;丁开鸿 申请(专利权)人 烟台东星磁性材料股份有限公司
代理机构 亳州速诚知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 张辉
地址 265500山东省烟台市福山区永达街888号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种高性能钕铁硼烧结磁体制备方法及微观结构,其属于钕铁硼磁体制作方法技术领域。包括如下工艺步骤:将镨、铜、镓、重稀土等金属按照计量比PraRHbGacCud进行配料,先制备成多元合金铸锭,再制成薄带合金。将薄带合金破碎成平均粒度10µm‑1000µm的粉末附着于钕铁硼烧结磁体表面进行扩散,高温扩散的温度范围为720℃~980℃,扩散时间为5~25小时;低温时效处理温度为480℃~680℃,处理时间为1~10小时。扩散后的磁体微观结构中,扩散引入的重稀土元素分布深度超过400µm,在主相颗粒外围形成镨元素及重稀土元素包裹的壳层结构,在剩磁没有明显降低的条件下,矫顽力得到较大提升。