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低重稀土磁体及制造方法

基本信息

申请号 CN202111121038.0 申请日 -
公开（公告）号 CN113871122A 公开（公告）日 2021-12-31
申请公布号 CN113871122A 申请公布日 2021-12-31
分类号 H01F1/057（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 王传申;彭众杰;杨昆昆;丁开鸿 申请（专利权）人 烟台东星磁性材料股份有限公司
代理机构 青岛发思特专利商标代理有限公司 代理人 郭继艳
地址 265500山东省烟台市福山区永达街888号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及钕铁硼磁体技术领域，尤其涉及一种低重稀土磁体及制造方法。低重稀土磁体由钕铁硼磁体主体合金和低重稀土扩散源制备而成，低重稀土扩散源化学式为RxHyM1‑x‑y，其中R是指Nd，Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一种，H是指Tb，Dy中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种，所述低重稀土扩散源结构分布为RH相、RHM相镶嵌均匀分布。在钕铁硼磁体主体合金表面涂覆所述低重稀土扩散源，并进行扩散和回火处理，得到低重稀土磁体，磁体晶界结构包括主相、R壳层、过渡金属壳层和三角区，本发明的有益之处是通过对磁体成分和低重扩散源结构的调控，实现矫顽力的大幅提升。