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一种低量添加重稀土的钕铁硼磁体及其制备方法

基本信息

申请号 CN202011473669.4 申请日 -
公开（公告）号 CN112509775A 公开（公告）日 2021-03-16
申请公布号 CN112509775A 申请公布日 2021-03-16
分类号 H01F41/02(2006.01)I;H01F1/055(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 朱晓男;彭众杰;相春杰;张强;丁开鸿 申请（专利权）人 烟台东星磁性材料股份有限公司
代理机构 亳州速诚知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 张辉
地址 265500山东省烟台市福山区永达街888号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种低量添加重稀土的钕铁硼磁体及其制备方法，其特征在于以含无重稀土低熔点辅合金作为晶界相添加，再添加少量的重稀土Dy/Tb粉，利用低熔点高流动性的晶界相作为载体，在烧结过程中晶界相携带重稀土Dy/Tb粉分布在各个晶粒的周围，在烧结过程进行重稀土Dy/Tb粉扩散进入主相表层，实现重稀土元素的引入。采用主合金中添加一定比例的辅合金，进行氢处理，气流磨制粉，在气流磨粉中添加少量的重稀土Dy/Tb粉混合均匀，提高烧结温度，降低时效温度，促进重稀土元素的扩散，优化磁体晶界相结构，从而提高矫顽力。该方法可广泛用于低重稀土高性能烧结钕铁硼的制备与生产。