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低成本稀土磁体及制造方法

基本信息

申请号 CN202111121731.8 申请日 -
公开（公告）号 CN113871123A 公开（公告）日 2021-12-31
申请公布号 CN113871123A 申请公布日 2021-12-31
分类号 H01F1/057（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 王传申;杨昆昆;彭众杰;丁开鸿 申请（专利权）人 烟台东星磁性材料股份有限公司
代理机构 青岛发思特专利商标代理有限公司 代理人 郭继艳
地址 265500山东省烟台市福山区永达街888号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及钕铁硼磁体技术领域，尤其涉及一种低成本稀土磁体及制造方法。低成本稀土磁体由钕铁硼合金及涂覆在所述钕铁硼合金表面的扩散源薄膜制备而成，所述钕铁硼合金由钕铁硼合金原料、低熔点粉料和其他添加剂混合制备而成，所述混合低熔点粉料含有CeCu、CeAl和CeGa，所述扩散源具有式R1xR2yHzM1‑x‑y‑z所示的组成，其中R1是指Nd，Pr中的至少一种，R2为Ho、Gd中至少一种，H是指Tb，Dy中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种，本发明的有益之处是较少重稀土含量的情况下，大幅增加磁体的矫顽力，降低磁体的生产成本。