一种AL
基本信息
| 申请号 | CN202010913150.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112053934A | 公开（公告）日 | 2020-12-08 |
| 申请公布号 | CN112053934A | 申请公布日 | 2020-12-08 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高阳;李春勇;舒凯;仇伯仓;柯毛龙;徐化勇;冯欧 | 申请（专利权）人 | 江西铭德半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 彭琰 |
| 地址 | 330000 江西省南昌市南昌小蓝经济技术开发区富山大道以南、金湖以西 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种AL2O3薄片制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底的上表面外延交替生长AlXGa1‑XAs薄层和GaAs薄层，以在所述衬底的上表面形成外延层；通过光刻掩膜板对所述外延层进行刻蚀，形成多个独立的子外延层；对每一所述子外延层的AlXGa1‑XAs薄层进行氧化，以将所述AlXGa1‑XAs薄层转化成为AL2O3薄层；对每一所述子外延层的GaAs薄层进行蚀除，得到AL2O3薄片。本发明通过采用外延生长、光刻、氧化、以及腐蚀等半导体微加工工艺，AL2O3薄片的厚度通过外延生长技术控制，AL2O3薄片的几何形状通过光刻工艺控制，具有薄片形状及厚度可控、厚度可达纳米尺度、高效率、以及低成本等特点，从而为Al2O3薄片批量化可控制备和广泛应用提供了一种有效的新途径。 |
