一种可控横向光场的多结型半导体激光器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011600172.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112531461A | 公开（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申请公布号 | CN112531461A | 申请公布日 | 2021-03-19 |
| 分类号 | H01S5/32(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蒋锴;李春勇;舒凯;仇伯仓;柯毛龙;徐化勇;冯欧 | 申请（专利权）人 | 江西铭德半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 彭琰 |
| 地址 | 330000 江西省南昌市南昌小蓝经济技术开发区富山大道以南、金湖以西 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种可控横向光场的多结型半导体激光器及其制造方法，涉及半导体激光器技术领域，可控横向光场的多结型半导体激光器包括：衬底；多个含有PN限制层、波导层、量子阱区、电流限制层的结型结构，且多个结型结构之间均通过一隧道结进行连接；其中，隧道结为高掺反偏的PN结，隧道结包括P型隧穿层和N型隧穿层。通过本发明所示的可控横向光场的多结型半导体激光器，可选择性插入一种电流限制结构，形成一种在各结位置处的电流约束通道，从而改善多结型半导体激光器的电流扩展问题，进一步改善多结型半导体激光器的横向光场分布，使得各结有源区发光的横向宽度对称或一致，提高其近场远场光强均匀性。 |
