边发射大功率激光器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | 2020115873881 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112290384A | 公开（公告）日 | 2021-01-29 |
| 申请公布号 | CN112290384A | 申请公布日 | 2021-01-29 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 柯毛龙;李春勇;舒凯;仇伯仓;徐化勇;冯欧 | 申请（专利权）人 | 江西铭德半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 彭琰 |
| 地址 | 330000江西省南昌市南昌县富山大道以南、金湖以西德瑞光电大楼二楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种边发射大功率激光器及其制造方法，该边发射大功率激光器，包括：依次层叠设置的N型衬底、N型缓冲层、N型覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、P型覆盖层和P型欧姆接触层，所述下波导层和所述有源层为无掺杂；所述有源层整体呈现张应力，且所述张应力的值在阈值范围内；所述P型覆盖层和所述P型欧姆接触层通过蚀刻形成脊形的脊波导。本发明中的边发射大功率激光器采用张应力的有源层，从而端面会自然形成一个无吸收的窗口，可以较好地降低端面吸收而造成的发热，从而提高激光器端面损坏的阈值，提高激光器的输出功率和可靠性。 |
