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VCSEL芯片及其制造方法

基本信息

申请号	CN202011585888.1	申请日	-
公开（公告）号	CN112290379B	公开（公告）日	2021-04-30
申请公布号	CN112290379B	申请公布日	2021-04-30
分类号	H01S5/06;H01S5/065;H01S5/183;H01S5/30	分类	基本电气元件;
发明人	仇伯仓;冯鸥;舒凯;柯毛龙;徐化勇;李春勇	申请（专利权）人	江西铭德半导体科技有限公司
代理机构	北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	彭琰
地址	330000 江西省南昌市南昌小蓝经济技术开发区富山大道以南、金湖以西
法律状态	-

摘要

本发明提供一种VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片包括芯片主体，芯片主体包括从下到上依次层叠的n型DBR层、有源区以及p型DBR层，p型DBR层和有源区之间设有氧化圈，p型DBR层的顶部设有上电极，上电极的顶部设有半导体材料层，半导体材料层采用In(x)GaAl(y)As材料，x表示In的摩尔组份含量，y表示Al的摩尔组份含量，半导体材料层的带隙大于VCSEL芯片工作波长所对应的光子能量，半导体材料层中心预设区域内的In(x)GaAl(y)As材料被刻蚀掉，以使半导体材料层形成带有缺口的环形结构，半导体材料层的缺口处镀有金属电极，通过对金属电极施加电流以对半导体材料层加热，以平衡芯片工作时发热引起的热场分布。本发明能够解决高功率工作时光束质量变差的问题。