边发射大功率激光器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010892596.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111817138B | 公开（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申请公布号 | CN111817138B | 申请公布日 | 2021-02-26 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 舒凯;李春勇;柯毛龙;徐化勇;仇伯仓;冯鸥 | 申请（专利权）人 | 江西铭德半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 彭琰 |
| 地址 | 330000 江西省南昌市南昌小蓝经济技术开发区富山大道以南、金湖以西 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种边发射大功率激光器及其制造方法，该边发射大功率激光器包括：N型衬底；N型缓冲层，设于所述N型衬底上；N型覆盖层，设于所述N型缓冲层上；下波导层，设于所述N型覆盖层上，所述下波导层无掺杂；有源区，设于所述下波导层上，所述有源区无掺杂；上波导层，设于所述有源区上，所述上波导层无掺杂；P型覆盖层，设于所述上波导层上，所述P型覆盖层的两端面分别设置有一绝缘层，所述绝缘层用于限制载流子在波导的端面的注入；P型欧姆接触层，设于所述P型覆盖层上，所述P型覆盖层和所述P型欧姆接触层通过蚀刻形成脊形的脊波导。本发明中的边发射大功率激光器可避免激光器腔面受热烧毁，提高了激光器的功率和可靠性。 |
