碳化硅晶体熔体生长装置
基本信息
| 申请号 | CN202010780048.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111676519A | 公开（公告）日 | 2020-09-18 |
| 申请公布号 | CN111676519A | 申请公布日 | 2020-09-18 |
| 分类号 | C30B35/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 郑红军 | 申请（专利权）人 | 常州臻晶半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 郑红军;中科臻晶（无锡）半导体有限公司 |
| 地址 | 100000北京市海淀区稻香园3号楼3单元401 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及碳化硅晶体生长装置领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体熔体生长装置。碳化硅晶体熔体生长装置包括锅体和第一碳模块；所述第一碳模块设置在所述锅体的内壁上。本发明的有益效果是：通过在锅体的内壁上设置第一碳模块，通过第一碳模块的设置，增加了锅体内壁与锅体内部的熔体的接触面积，提高了碳的溶解效率，能够为碳化硅晶体生长提供了稳定的碳供应。 |
