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熔体法生长碳化硅单晶用碳源供应装置

基本信息

申请号 CN202010776039.8 申请日 -
公开（公告）号 CN111676516A 公开（公告）日 2020-09-18
申请公布号 CN111676516A 申请公布日 2020-09-18
分类号 C30B29/36(2006.01)I;C30B11/10(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 郑红军 申请（专利权）人 常州臻晶半导体有限公司
代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 郑红军;中科臻晶（无锡）半导体有限公司
地址 100000北京市海淀区稻香园3号楼3单元401
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及碳化硅晶体生长装置领域，具体而言，涉及一种熔体法生长碳化硅单晶用碳源供应装置。熔体法生长碳化硅单晶用碳源供应装置包括坩埚本体和碳源块；所述坩埚本体内设置有熔体；所述碳源块放置在所述坩埚本体的内部的底部，且被所述熔体覆盖，所述熔体用于将所述碳源块溶解为碳化硅晶体生长所需的碳源。本发明的有益效果是：通过在坩埚本体内的底部放置碳源块，熔体覆盖碳源块，能够使碳源块进行充分溶解，进而通过碳源块给碳化硅晶体生长提供稳定的、足够的碳源，形成稳定的碳供应。