一种发光器件
基本信息
| 申请号 | CN201210067680.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102593298A | 公开（公告）日 | 2012-07-18 |
| 申请公布号 | CN102593298A | 申请公布日 | 2012-07-18 |
| 分类号 | H01L33/16(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈杰;迈克·亨利肯;潘小和;嘉鼎·斐 | 申请（专利权）人 | 矽光光电科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 周荣芳 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张东路1387号51幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种发光器件，其包含具有一个以（100）晶面作为上表面的硅基底。在该上表面具有一个凹槽，凹槽的一部分被限定为硅基底的（111）晶面。该发光器件包含位于硅基底的其中一个（111）晶面上的GaN晶体结构；该GaN晶体结构包含一个非极性平面，及沿该非极性平面设置的第一表面。该发光器件还包含发光层，其位于GaN晶体结构的第一表面上。发光层具有至少一个含GaN的量子阱。该发光器件利用非极性和半极性GaN晶体表面作为量子阱基底，提高了发光效率和光发射强度，且发射光高度极化，并能为GaN单晶体提供非常低的缺陷密度，以提高器件的可靠性和使用寿命。 |
