一种压电MEMS超声波传感器
基本信息
| 申请号 | CN201822122152.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209383383U | 公开（公告）日 | 2019-09-13 |
| 申请公布号 | CN209383383U | 申请公布日 | 2019-09-13 |
| 分类号 | B81C1/00（2006.01）I; B81B7/02（2006.01）I; G01S7/521（2006.01）I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 黄宏林; 王俊 | 申请（专利权）人 | 无锡智行华芯高科技合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 无锡华源专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 智驰华芯（无锡）传感科技有限公司;无锡智行华芯高科技投资合伙企业（有限合伙）;无锡智行华芯高科技合伙企业（有限合伙） |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市菱湖大道200号中国传感网国际创新园F6 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种压电MEMS超声波传感器，涉及传感器技术领域，该压电MEMS超声波传感器包括由第一硅片、二氧化硅薄膜和硅振动膜从底至顶依次层叠形成的硅基结构，硅基结构上表面的二氧化硅薄膜上制备形成有下电极，下电极上制备形成有PZT压电薄膜和二氧化硅钝化层，二氧化硅钝化层露出下电极形成有下电极PAD，PZT压电薄膜上制备形成有上电极，上电极引出至上电极PAD，本申请公开的结构区别于传统的超声波传感器基于压电陶瓷的方案，其基于微米厚度的压电薄膜，且基于弯曲振动模式，所制造的超声波传感器的尺寸可以小到毫米量级，因此具有尺寸小、一致性高以及可以批量制造的优点，而且能够很容易实现阵列，扩展了超声波传感器的应用范围。 |
