一种高耐压的陶瓷电容器芯片及其生产工艺
基本信息
| 申请号 | CN202011181570.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112420385B | 公开（公告）日 | 2022-04-29 |
| 申请公布号 | CN112420385B | 申请公布日 | 2022-04-29 |
| 分类号 | H01G4/12（2006.01）I;H01G13/00（2013.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘志甫;马名生;储小兰;罗亚成;左生荣 | 申请（专利权）人 | 泗阳群鑫电子有限公司 |
| 代理机构 | 合肥正则元起专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘生昕 |
| 地址 | 223700江苏省宿迁市泗阳县卢集镇大元路北侧贵嘴路西侧全民创业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高耐压的陶瓷电容器芯片及其生产工艺，包括陶瓷本体和设置在陶瓷本体两侧的正负极,所述陶瓷本体包括主料和辅料，主料包括Ba2Ti9O20、BaTi4O9、BaTi3O7、BaTi5O11和BaTi6O13中的至少一种，辅料包括以下摩尔百分比的原料：Si 4‑5％、Ca 1.5‑2.5％、As 2.5‑3.5％、K 2‑3％、Mo 6‑7％、In 4‑5.5％，I 0.5‑2％；采用上述原料制备的高耐压的陶瓷电容器芯片，能够在高温高压下正常工作，具有优异的耐高温性能，以及很高的耐高压性能。 |
