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宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池

基本信息

申请号 CN02294641.1 申请日 -
公开（公告）号 CN2593368Y 公开（公告）日 2003-12-17
申请公布号 CN2593368Y 申请公布日 2003-12-17
分类号 H01L31/06 分类 基本电气元件;
发明人 耿新华;赵颍;薛俊明 申请（专利权）人 昆明铂阳远宏能源科技有限公司
代理机构 天津市学苑有限责任专利代理事务所 代理人 南开大学;昆明铂阳远宏能源科技有限公司
地址 300071天津市卫津路94号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型的名称是宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池，涉及叠层电池结构的设计，属于太阳电池技术领域。一般的叠层电池或者光电转换效率低，或者工艺复杂，为此本实用新型在设计电池时，在第(1)个pin的N层与第2个pin电池的P层之间加一特殊增反射层，该增反射层只反射第1个pin电池吸收范围的光，透射第2个pin电池吸收范围的光，在第2个电池pin的N层与金属电极之间加另一个增反射层，负责反射第2个pin电池吸收范围的光，这样，可以提高电池的光电转换效率、减薄吸收层厚度，不容易发生光衰退，大大缩短制备时间，降低成本。