首页/ 昆明铂阳远宏能源科技有限公司/ 专利详情

非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法

基本信息

申请号 CN201310313476.6 申请日 -
公开（公告）号 CN103606589A 公开（公告）日 2014-02-26
申请公布号 CN103606589A 申请公布日 2014-02-26
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张津燕;郁操;胡安红;曲铭浩;徐希翔 申请（专利权）人 昆明铂阳远宏能源科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 650217 云南省昆明市经开区出口加工区A4-1#地块B幢2-4
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法，包括步骤：提供基板；在所述基板表面沉积透明导电前电极层；在所述透明导电前电极层表面沉积包括非晶硅顶层电池的叠层电池层；在所述叠层电池层表面沉积导电背电极层；其中，所述非晶硅顶层电池的本征层从P层到N层分为四步沉积，靠近P层的第一层沉积高氢稀释比的非晶硅层；第二层沉积第一非晶硅层；第三层沉积主体层，第四层沉积第二非晶硅层。本发明的方法通过对通过简单的沉积工艺控制和组合优化，很好的解决产业化进程中成本和质量的矛盾，即高速沉积和高质量非晶硅材料之间的矛盾。