快恢复Pin二极管及其制作方法
基本信息
申请号 | CN201711314373.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN108054197B | 公开(公告)日 | 2018-05-18 |
申请公布号 | CN108054197B | 申请公布日 | 2018-05-18 |
分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 不公告发明人 | 申请(专利权)人 | 超仪科技股份有限公司 |
代理机构 | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 超仪科技股份有限公司 |
地址 | 314000浙江省嘉兴市秀洲区油车港镇正阳西路88号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供一种快恢复Pin二极管及其制造方法。所述快恢复Pin二极管包括N型衬底、形成所述N型衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层远离所述N型衬底的表面切间隔设置的两个P型注入区、形成于每个P型注入区表面的P型高掺杂区、形成于所述N型外延层、所述P型注入区、及所述P型高掺杂区上的P型低掺杂注入区。 |
