一种去除硅片化学镀镍表面镍的方法
基本信息
| 申请号 | CN202111394638.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114032549A | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN114032549A | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | C23F1/28（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 马建建;陆新城;李智勇;江超 | 申请（专利权）人 | 山东晶导微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 济宁汇景知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 苟莎 |
| 地址 | 273100山东省济宁市曲阜市春秋东路166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种去除硅片化学镀镍表面镍的方法，属于半导体硅片生产领域，其特征在于，将经化学镀镍、镍烧结后的硅片放入混酸中在46‑50℃下进行清洗；其中，所述混酸采用36‑38%的盐酸溶液、69‑71%的硝酸溶液、纯水的混合物；本发明通过特定比例的盐酸、硝酸、纯水的混合物来替代现有技术的浓硝酸进行硅片表面化学镀镍的清洗，使其在48℃左右即可发挥良好的清洗效果，清洗时间由现有技术的120s降至90s，即可达到良好的清洗效果，而且很好地解决了形成酸雾的问题。 |
