半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110986211.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113611607A | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申请公布号 | CN113611607A | 申请公布日 | 2021-11-05 |
| 分类号 | H01L21/329（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陆新城;孔凡伟;娄燕燕;王秀锦 | 申请（专利权）人 | 山东晶导微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 济宁汇景知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 苟莎 |
| 地址 | 273100山东省济宁市曲阜市春秋东路166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，属于快恢复芯片生产领域，其特征在于，首先对晶圆进行清洗，保证其表面洁净，然后采用低温化学气相沉积法在晶圆表面形成一层氧化隔离膜，膜厚在＞6000埃；再依次经光刻、沟槽蚀刻、电泳法玻璃钝化、金属化制得快恢复芯片；本发明在晶圆表面形成一层致密的隔离膜，通过把控氧化温度及时间保证其隔离膜能有效的保阻断钝化时玻璃粉在台面上的沉积，同时又保证产品TRR不受温度影响，确保产品的一致性，实现快恢复芯片的规模化生产。 |
