一种整流半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202022078290.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213071112U | 公开（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申请公布号 | CN213071112U | 申请公布日 | 2021-04-27 |
| 分类号 | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/49;H01L25/11 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陆新城;代勇敏;段花山 | 申请（专利权）人 | 山东晶导微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京维昊知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李波;孙新国 |
| 地址 | 273100 山东省济宁市曲阜市春秋东路166号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种整流半导体器件。该器件包括第一到第四共四个金属基片、两个第一芯片和两个第二芯片、金属跳线和塑封体，其中：第一和第二金属基片的底部均为平面无凸点结构，并且分别向外延伸至塑封体外部以形成两直流输出端，第三和第四金属基片设置在塑封体内并且向外延伸至所述塑封体外部以形成两交流输入端，第一芯片采用N型衬底GPP芯片，而第二芯片采用P型衬底GPP芯片，其中一个第一芯片的P极和一个第二芯片的N极分别通过金属跳线连接到第三金属基片，而另一个第一芯片的P极和另一个第二芯片的N极分别通过金属跳线连接到第四金属基片。本发明的方案增加了芯片和铜片的表面接触效果，提高了通电和散热效率。 |
