一种具有深能级掺杂的肖特基二极管
基本信息
| 申请号 | CN202022625130.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213716908U | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN213716908U | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | H01L29/872（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 单亚东;谢刚 | 申请（专利权）人 | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市精英专利事务所 | 代理人 | 刘贻盛 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科智西路5号科苑西25栋A609 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种具有深能级掺杂的肖特基二极管，其包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有若干个沟槽，每一沟槽内侧壁和底部形成有栅氧化层，该沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅覆盖在多个沟槽内的栅氧化层上，每一沟槽旁形成有深能级杂质层，所述深能级杂质层以及沟槽上表面形成有金属层。本实用新型肖特基二极管中每一沟槽旁形成有深能级杂质层，深能级杂质层以及沟槽上表面形成有金属层，在常温情况下，深能级杂质层中的杂质未能完全激活，二极管势垒较低，正向压降也比较低；而在高温情况下，杂质大部分激活，可以有效提高肖特基二极管的势垒高度，降低肖特基二极管高温漏电流，进而降低器件功耗。 |
