半导体器件及相应制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710623403.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107359209B | 公开（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申请公布号 | CN107359209B | 申请公布日 | 2021-05-25 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 单亚东;谢刚;张伟;李一枝 | 申请（专利权）人 | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人 | 焉明涛 |
| 地址 | 518054广东省深圳市南山区高新南6道6号迈科龙大厦6A02 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及相应制造方法，用以解决在不提高半导体器件漏电的情况下，降低半导体器件的导通压降的问题。所述方法包括：在半导体基件的预设注入区域注入离子源；通过热扩散，使所述离子源进入预设的JFET区域；在完成热扩散的半导体基件上蚀刻沟槽结构，形成半导体器件。 |
