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一种肖特基二极管及其制备方法

基本信息

申请号	CN201910686549.3	申请日	-
公开（公告）号	CN110504330A	公开（公告）日	2019-11-26
申请公布号	CN110504330A	申请公布日	2019-11-26
分类号	H01L29/872（2006.01）; H01L29/205（2006.01）; H01L29/06（2006.01）; H01L21/329（2006.01）	分类	基本电气元件;
发明人	单亚东; 谢刚; 胡丹	申请（专利权）人	广微集成技术（深圳）有限公司
代理机构	苏州市港澄专利代理事务所（普通合伙）	代理人	广微集成技术（深圳）有限公司
地址	518000 广东省深圳市南山区西丽街道松坪山新西路7号兰光科技大厦B209
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种肖特基二极管及其制备方法，属于半导体领域。肖特基二极管包括依次形成于衬底表面的镓极性GaN层、氮极性GaN层、钝化层；多个第一凹槽，其穿过钝化层、氮极性GaN层位于镓极性GaN层的上表面；第二凹槽，其穿过钝化层位于氮极性GaN层之中；第一阴极和第二阴极，其形成在第一凹槽之中并且形成为与镓极性GaN层电接触；阳极，其形成在第一阴极和第二阴极之间且与氮极性GaN层电接触；氧化镓，形成于第一凹槽内暴露出的镓极性GaN层、氮极性GaN层区域；氮氧化镓层，形成在第二凹槽内暴露出的氮极性GaN层区域。通过在阴极和镓极性GaN层与氮极性GaN层之间设置氧化镓，在阳极和氮极性GaN层之间设置氮氧化镓层可以显著降低肖特基二极管的漏电流。