一种半导体装置及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011271903.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112234105A | 公开（公告）日 | 2021-01-15 |
| 申请公布号 | CN112234105A | 申请公布日 | 2021-01-15 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 单亚东;谢刚 | 申请（专利权）人 | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市精英专利事务所 | 代理人 | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科智西路5号科苑西25栋A609 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置，包括：衬底；外延层，形成于衬底表面，所述外延层的上部形成有沟槽，所述沟槽包括至少一位于有源区的第一沟槽和多个位于终端区的第二沟槽，多个所述第二沟槽之间形成有多个二氧化硅台面结构；二氧化硅氧化层，形成于所述第二沟槽底部和侧壁；硅介质层，形成于第二沟槽内，并覆盖在二氧化硅氧化层上；多晶硅，填充于所述第一沟槽内；栅氧化层，形成于所述多晶硅与第一沟槽之间；钝化层，形成于所述终端区的外延层表面上；金属层，形成于所述有源区的外延层及钝化层表面上。同时本发明还公开一种半导体装置的制造方法。 |
