晶圆制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911141891.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111081787A | 公开（公告）日 | 2020-04-28 |
| 申请公布号 | CN111081787A | 申请公布日 | 2020-04-28 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/82 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 单亚东;谢刚;胡丹;李武华 | 申请（专利权）人 | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人 | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 地址 | 518054 广东省深圳市南山区西丽街道松坪山新西路7号兰光科技大厦B209 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种晶圆制备方法，所述方法包括：在完成N型衬底、N型外延层、以及进行了孔刻蚀的氧化层的制备后，在晶圆上溅射、光刻以及刻蚀所述金属铝层；将清洗后的晶圆通过焊接层蒸发炉蒸镀焊接层；对蒸镀焊接层后的晶圆进行腐蚀，去除掉没有焊接层覆盖的金属铝层；对所述焊接层进行光刻、刻蚀，最后减薄形成正面电极。 |
