低电容高速传输半导体浪涌保护器件

基本信息

申请号 CN201110302276.1 申请日 -
公开(公告)号 CN103035695A 公开(公告)日 2013-04-10
申请公布号 CN103035695A 申请公布日 2013-04-10
分类号 H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H02H9/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 史田元;胡蛇庆 申请(专利权)人 江苏锦丰电子有限公司
代理机构 南京天华专利代理有限责任公司 代理人 夏平
地址 214205 江苏省无锡市宜兴环保科技工业园绿园路508号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种低电容高速传输半导体浪涌保护器件,包括平面型固体放电管芯的硅片基底两面、镜像对称扩散基区和发射区,其中在该平面型固体放电管芯两表面的基区的四角处设有氧化区域。其反应迅速,性能稳定,长期使用性能不下降。