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低电容高速传输半导体浪涌保护器件

基本信息

申请号 CN201110117873.7 申请日 -
公开（公告）号 CN102769026A 公开（公告）日 2012-11-07
申请公布号 CN102769026A 申请公布日 2012-11-07
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I;H02H9/04(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 肖志良 申请（专利权）人 江苏锦丰电子有限公司
代理机构 南京天华专利代理有限责任公司 代理人 夏平
地址 214205 江苏省无锡市宜兴环保科技工业园绿园路508号
法律状态 -

摘要

摘要 一种低电容高速传输半导体浪涌保护器件，PN结为扁平PN结平衡结；半导体浪涌保护器件的发射区分两次注入；的P-区的厚度加深10％-20％；N-区的厚度减薄10-20％；N+衬底为双面抛光的硅片，片厚200-300μm，电阻率为20-22％。本发明采用扃平PN结平衡结结构，改善电流密度分布。采用加深P-区厚度、发射区两次注入、场板等技术提高了控制管EB结反向击穿电压，解决了EB结反向击穿电压与β的矛盾：通过对四重结构晶闸管的NPN的β的控制，解决了维持电流及转折电流的控制问题：通过降低接触电压、减薄N-区、提高少子寿命。