闪存读阈值预测电平确定方法、设备及可读存储介质

基本信息

申请号 CN201710862664.2 申请日 -
公开(公告)号 CN107705814A 公开(公告)日 2018-02-16
申请公布号 CN107705814A 申请公布日 2018-02-16
分类号 G11C16/34;G11C29/04;G06F11/10 分类 信息存储;
发明人 黄亦轩 申请(专利权)人 深圳市致存微电子企业(有限合伙)
代理机构 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 代理人 深圳市致存微电子企业(有限合伙);深圳市得一微电子有限责任公司
地址 518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技南十二18号6楼09-1单元
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种闪存读阈值预测电平确定方法、设备及可读存储介质,所述方法包括:获取待读取页数据在相应第一闪存块中的第一分段位置;基于所述第一分段位置获取对应预存的读阈值预测电平;获取所述第一闪存块的属性信息,基于该属性信息调整所述读阈值预测电平,将调整后的所述读阈值预测电平作为第一预测电平,以基于第一预测电平读取待读取页数据,以实现闪存页数据的解码。本方案解决了现有技术中未能实现快速准确读取数据,造成解码纠错效率低的技术问题。