一种650nm垂直腔面激光器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910934215.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112582877B | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN112582877B | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01S5/183（2006.01）I;H01S5/187（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 于军;张雨;张新;邓桃;朱振 | 申请（专利权）人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京华际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张文杰 |
| 地址 | 250101山东省济南市高新区天辰大街1835号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种650nm垂直腔面激光器及其制备方法，所述激光器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底表面自下而上依次生长GaAs缓冲层、N型DBR层、AlxGa1‑xInP下波导层、量子阱、AlxGa1‑xInP上波导层、P型DBR层、GaAs窗口层；所述N型DBR层自下而上包括低反射率AlxGa1‑xInP/AlInP DBR层、高反射率Al1‑xGa1‑xInP/AlInP DBR层，所述低反射率Al1‑xGa1‑xInP/AlInP DBR层在GaAs缓冲层上生长，所述Al1‑xGa1‑xInP下波导层在高反射率Al1‑xGa1‑xInP/AlInP DBR层上生长。本发明公开了一种650nm垂直腔面激光器及其制备方法，工艺设计合理，操作简单，不仅有效解决了原有的激光器材料易氧化，激光器可靠性差的问题，同时还通过高低不同反射率的DBR层堆叠，实现光子的最大行程反射，提高了有源区复合效率，增加激光器功率，具有较高的实用性。1‑x |
