一种GaAs基多结红光激光器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910542284.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112117641B | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN112117641B | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01S5/323（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李志虎;张新;朱振;于军 | 申请（专利权）人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京华际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张文杰 |
| 地址 | 250101山东省济南市高新区天辰大街1835号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种GaAs基多结红光激光器及其制备方法，所述激光器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底上自下而上依次生长有GaAs低温缓冲层、第一激光节、GaInP腐蚀阻挡层和第一GaAs帽层，所述第一激光节、GaInP腐蚀阻挡层生长有若干个发光层；所述发光层自下而上包括若干个隧道结和第二激光节，所述最接近第一激光节的隧道结在第一激光节上生长，所述第二激光节在隧道结上生长；本发明不仅通过隧道结的设计实现了多节激光材料的生长，在较小的电流下获得较大的输出功率，提高了激光器的发光功率；同时由于AlInP上限制层、第二GaAs帽层之间的界面宽带不连续，本技术方案引入了（AlxGa1‑x）yIn1‑P晶格过渡层，降低电压，提高器件的可靠性和寿命，具有较高的实用性。y |
