芯片局部涂覆装置
基本信息
| 申请号 | CN202111473541.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203592A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203592A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L21/67（2006.01）I;G02B21/26（2006.01）I;G02B21/24（2006.01）I;G02B21/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵东艳;王于波;单书珊;陈燕宁;董广智;钟明琛;宋彦斌;吴峰霞;刘春颖;鹿祥宾;刘波 | 申请（专利权）人 | 北京芯可鉴科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李红 |
| 地址 | 102200北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供一种芯片局部涂覆装置，属于芯片分析处理设备技术领域，所述装置包括：机箱、涂覆装置、载物台和显微镜，所述机箱的一侧开设有涂覆作业口，所述涂覆装置包括涂覆探针，所述涂覆装置安装在所述机箱内部，且所述涂覆探针从所述涂覆作业口伸出至所述机箱外部，所述显微镜和所述载物台固定安装在所述涂覆作业口上下两侧的机箱上，且所述载物台位于所述涂覆作业口的下方，所述显微镜位于所述涂覆作业口的上方。通过涂覆装置在芯片坑洼或层数较少的部位涂覆覆盖材料，利用覆盖材料的遮挡性和粘附性对芯片坑洼或层数较少的部位形成保护膜，以实现在干法刻蚀和湿法刻蚀去层过程中仅将层数多的部位进行去层，使芯片处于同一层次。 |
