一种NLDMOS器件及制备方法、芯片
基本信息
| 申请号 | CN202210014429.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114050181B | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN114050181B | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵东艳;王于波;邓永峰;陈燕宁;付振;刘芳;余山;吴波;郁文;王凯;刘倩倩 | 申请（专利权）人 | 北京芯可鉴科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高英英 |
| 地址 | 102200北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供一种NLDMOS器件及制备方法、芯片，所述NLDMOS器件包括：衬底，所述衬底上方设有第一高压N阱区和第二高压N阱区，所述第一高压N阱区和第二高压N阱区之间留有衬底间隙；所述第一高压N阱区和第二高压N阱区上设有P型降低电场区，所述P型降低电场区经过所述衬底间隙；所述第一高压N阱区上还设有P型体区，所述第二高压N阱区上设有N型漂移区；所述P型体区、衬底间隙以及N型漂移区形成PIN结。所述NLDMOS器件的结构设计有效的提高了击穿电压。 |
