隔离电容及隔离电容的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111436654.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113851466B | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN113851466B | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L23/64（2006.01）I;H01L49/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵东艳;王于波;邓永峰;陈燕宁;付振;刘芳;郁文;吴波 | 申请（专利权）人 | 北京芯可鉴科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈潇潇;李红 |
| 地址 | 100192北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件领域，提供一种隔离电容及隔离电容的制备方法。所述隔离电容包括衬底、下极板、上极板以及位于所述下极板与所述上极板之间的电介质层，还包括设置于所述下极板与所述衬底之间的隔离层；所述隔离层由介电常数在2~3之间的电介质材料形成，所述隔离层用于降低所述下极板与所述衬底之间的寄生电容。本发明在下极板与衬底之间增加超低介电常数的隔离层，大幅度降低下极板与衬底之间的寄生电容。 |
