一种LDMOSFET、制备方法及芯片、电路
基本信息
| 申请号 | CN202210132826.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114188402A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114188402A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/161（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 | 申请（专利权）人 | 北京芯可鉴科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高英英 |
| 地址 | 102200北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片、电路。所述LDMOSFET包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层和衬底上方设有高压N型阱和第一高压P型阱；所述高压N型阱上方设有第二高压P型阱；所述第二高压P型阱上方依次设有第一P型漂移区、N型体区及第二P型漂移区；所述第一P型漂移区上设有第一沟道漏极，所述第一沟道漏极的深度小于所述第一P型漂移区的深度；所述第二P型漂移区上设有第二沟道漏极，所述第二沟道漏极的深度小于所述第二P型漂移区的深度；所述第一沟道漏极和第二沟道漏极均设有锗硅。所述LDMOSFET通过提高载流子的迁移率，大大提升了自身的驱动能力和驱动速度。 |
