用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的方法
基本信息
| 申请号 | CN200910164226.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101640234B | 公开（公告）日 | 2011-01-26 |
| 申请公布号 | CN101640234B | 申请公布日 | 2011-01-26 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 侯仁义 | 申请（专利权）人 | 四川阿波罗太阳能科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 成都科海专利事务有限责任公司 | 代理人 | 成都中光电阿波罗太阳能有限公司;成都中建材光电材料有限公司 |
| 地址 | 610207 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区腾飞三路485号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的方法，其特点是该方法包括CdS/CdTe膜的形成，CdCl2热处理和背电极的制作三部分，通过对电压、电源、气压和距离控制，控制膜的质量，使用磁控溅射法将CdS、CdTe、CdCl2、ZnTe:Cu和Ni分别依次镀在清洁并光刻完成的导电玻璃工件上，构成完整电池。经性能测试：小面积0.05cm2，短路电流27mA/cm2，开路电压0.82V/每个单电池，填充因子72％，转换效率14.2％；大面积2000cm2(20×100cm)，短路电流21mA/cm2，开路电压0.63V/每个单电池，填充因子66％，转换效率8％。 |
