用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置

基本信息

申请号 CN200910164225.X 申请日 -
公开(公告)号 CN101640233B 公开(公告)日 2011-11-30
申请公布号 CN101640233B 申请公布日 2011-11-30
分类号 H01L31/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 侯仁义 申请(专利权)人 四川阿波罗太阳能科技有限责任公司
代理机构 成都科海专利事务有限责任公司 代理人 成都中光电阿波罗太阳能有限公司;成都中建材光电材料有限公司
地址 610207 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区腾飞三路485号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置,其特点是该装置由CdS/CdTe的形成装置,CdCl2热处理装置和背电极制作装置组成。CdS/CdTe的形成装置依次由进料仓(1)、CdS镀膜仓(2)、过渡仓(3)、CdTe镀膜仓(4)和出料仓(5)组成;CdCl2热处理装置采用近空间升华法装置将CdCl2镀在CdS/CdTe面上;背电极制作装置与CdS/CdTe形成装置基本相同,只是将CdS镀膜仓换成ZnTe镀膜仓,CdTe镀膜仓换成Ni镀膜仓。然后采用磁控溅射法将CdS、CdTe、CdCl2、ZnTe:Cu和Ni分别溅射到经清洗激光刻的导电玻璃工件上,用超声焊机焊上引出电极,用UV胶在电池背面涂覆约200~500μm厚的胶膜,经UV干燥机干燥后形成完整的太阳能电池。