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用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的方法

基本信息

申请号 CN200910164226.4 申请日 -
公开（公告）号 CN101640234A 公开（公告）日 2010-02-03
申请公布号 CN101640234A 申请公布日 2010-02-03
分类号 H01L31/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 侯仁义 申请（专利权）人 四川阿波罗太阳能科技有限责任公司
代理机构 成都科海专利事务有限责任公司 代理人 邓继轩
地址 610207四川省成都市双流县西南航空港经济开发区腾飞三路485号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的方法，其特点是该方法包括CdS/CdTe膜的形成，CdCl2热处理和背电极的制作三部分，通过对电压、电源、气压和距离控制，控制膜的质量，使用磁控溅射法将CdS、CdTe、CdCl2、ZnTe:Cu和Ni分别依次镀在清洁并光刻完成的导电玻璃工件上，构成完整电池。经性能测试：小面积0.05cm2，短路电流27mA/cm2，开路电压0.82V/每个单电池，填充因子72％，转换效率14.2％；大面积2000cm2(20×100cm)，短路电流21mA/cm2，开路电压0.63V/每个单电池，填充因子66％转换效率8％。